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    雷射掃描缺陷圖譜儀

    簡要描述:激光掃描缺陷成像儀是激光束感應(yīng)電流(LBIC)測試的升級版本。它利用波長能量大于半導(dǎo)體帶隙的激光束照射半導(dǎo)體,產(chǎn)生電子空穴對。通過快速掃描樣品表面,獲得揭示內(nèi)部電流變化的圖像分布,從而分析各種缺陷分布。這有助于分析樣品制備的質(zhì)量并有助于工藝改進。

    • 產(chǎn)品型號:LSD4
    • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    • 更新時間:2025-03-14
    • 訪  問  量: 2513

    詳細介紹

    品牌Enlitech產(chǎn)地類別進口
    應(yīng)用領(lǐng)域能源價格區(qū)間面議
    測量模式咨詢光焱科技專家

    產(chǎn)品介紹


    4 分鐘內(nèi)掌握全貌,以 50 微米分辨率掃描 100 毫米 x 100 毫米區(qū)域


      掃描缺陷成像儀是激光束感應(yīng)電流(LBIC)測試的升級版本。 它利用波長能量大于半導(dǎo)體能隙的激光光束照射半導(dǎo)體,產(chǎn)生電子-電洞對。 透過快速掃描樣品表面,獲得揭示內(nèi)部電流變化的影像分布,以分析各種缺陷分布。 這有助于分析樣品制備的質(zhì)量,并有助于制程改進。

    特征


    掃描光生電流的分布

    掃描光電壓分布

    掃描開路電壓和短路電流的分布

    分析表面污染

    分析短路區(qū)域的 分布

    識別和分析微裂紋區(qū)域

    分析少數(shù)載子擴散長度的分布(選用功能)


    應(yīng)用

    雷射掃描缺陷圖譜儀

    硅太陽能電池光電流分布(405 納米)

    雷射掃描缺陷圖譜儀雷射掃描缺陷圖譜儀

    6 英寸硅晶太陽能電池掃描(17 秒)

    雷射掃描缺陷圖譜儀

    鈣鈦礦太陽能電池

    雷射掃描缺陷圖譜儀    

    LSD4-OPV光響應(yīng)電流分布圖

    雷射掃描缺陷圖譜儀

    LSD4-OPV光響應(yīng)電流分布圖

    雷射掃描缺陷圖譜儀

    分辨率為 50 µm 的非均勻性分析


    雷射掃描缺陷圖譜儀

    母線/柵極縱橫比檢測(橫截面分析)

    雷射掃描缺陷圖譜儀

         雷射掃描缺陷圖譜儀            雷射掃描缺陷圖譜儀

    高重復(fù)性(6次重復(fù))


    規(guī)格

    項目參數(shù)說明。
    功能A。利用能量高于半導(dǎo)體帶隙的波長激光束在半導(dǎo)體中產(chǎn)生電子空穴對,探索耗盡區(qū)對內(nèi)部電流變化的影響,了解和分析各種缺陷分布,作為工藝改進的方向。

    b.能夠掃描樣品表面光生電流的分布。

    C。能夠掃描樣品表面光電壓的分布。

    d.能夠掃描開路電壓和短路電流的分布。

    e.能夠分析表面污染。

    F。能夠分析短路區(qū)域的分布。

    G。能夠識別和分析微裂紋區(qū)域。

    H。能夠分析少數(shù)載流子擴散長度的分布(可選)。
    激勵源
    405 ±10nm 激光
    520 ±10nm 激光
    635 ±10nm 激光
    830 ±10nm 激光
    掃描區(qū)域≧100mm×100mm
    激光光斑尺寸接近TEM00模式點
    測繪分辨率
    A。掃描分辨率 ≤ 50 µm
    b.掃描分辨率可通過軟件設(shè)置
    測繪時間<4分鐘(100mm×100mm,分辨率50um)
    方面60厘米*60厘米*100厘米
    軟件A。 LBIC 3D 可視化
    b. 2D 橫截面分析(電極縱橫比)
    c.光電流響應(yīng)分布分析(與長波長激光源結(jié)合)
    d.?dāng)?shù)據(jù)保存和導(dǎo)出功能









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